China's CXMT hits 12nm-class DRAM milestone — new 5th-gen DRAM tech uses quadruple-patterning to boost die capacity by 50%
Summary
Chińska firma CXMT rozpoczęła masową produkcję nowej technologii procesowej DRAM 5. generacji, oznaczonej jako G5. Technologia ta pozwala zmniejszyć połowę odstępu aktywnego obszaru do 11,95 nm przy użyciu litografii czterokrotnego wzorca. Nowy proces pozwala również obniżyć wysokość tablicy komórek rdzeniowych do 6 762 nm. CXMT potwierdza, że ta technologia plasuje się w zakresie zaawansowanych technologii klasy 10 nm.
Key points
- CXMT uruchomiła masową produkcję technologii procesowej DRAM 5. generacji (G5).
- Technologia G5 wykorzystuje litografię czterokrotnego wzorca, aby zmniejszyć połowę odstępu aktywnego obszaru do 11,95 nm.
- CXMT obniżyło wysokość tablicy komórek rdzeniowych do 6 762 nm.
- Poziom 11,95 nm odpowiada odstępowi aktywnego obszaru 23,9 nm.
- CXMT nie zamierza bezpośrednio przypisywać tego procesu do tradycyjnej nazwy węzła.
Timeline
CXMT rozpoczęła masową produkcję technologii procesowej DRAM 5. generacji (G5).
“CXMT says its new process technology — G5, as the company calls it — reduces DRAM’s active-area half-pitch to 11.95nm using quadruple-patterning lithography.”
Tło
CXMT to chiński lider w produkcji pamięci DRAM, który rozwija własne technologie procesowe.
Dlaczego to ważne
Osiągnięcie klasy 10 nm jest kluczowe dla konkurencji z innymi gigantami technologicznymi i zwiększenia pojemności die.